| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 212+ | 0.83 EUR |
| 255+ | 0.68 EUR |
| 256+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
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Technische Details SIS415DNT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.
Weitere Produktangebote SIS415DNT-T1-GE3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 4.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 22397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R |
auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R |
auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS415DNT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS415DNT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIS415DNT-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 22397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.01 EUR |
| 10+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| SIS415DNT-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.04 EUR |
| 175+ | 1 EUR |
| 210+ | 0.81 EUR |
| 250+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| SIS415DNT-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.19 EUR |
| 171+ | 1 EUR |
| 175+ | 0.94 EUR |
| 210+ | 0.75 EUR |
| 250+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| SIS415DNT-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.34 EUR |
| 152+ | 1.42 EUR |
| SIS415DNT-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
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Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 4.07 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 152+ | 1.42 EUR |