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SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3 Vishay

sis435dnt.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SIS435DNT-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis435dnt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sis435dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
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SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sis435dnt.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
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Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
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