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SIS443DN-T1-GE3 Vishay

Name: SIS443DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 33172297-5
Price: 144.48 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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Technische Details SIS443DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SIS443DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.61 EUR bis 3.61 EUR

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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115+	1.26 EUR
120+	1.16 EUR
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500+	1 EUR
1000+	0.93 EUR
2500+	0.86 EUR
5000+	0.8 EUR
10000+	0.78 EUR

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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32+	2.27 EUR
46+	1.57 EUR
76+	0.94 EUR
81+	0.89 EUR

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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76+	0.94 EUR
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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Anzahl	Preis
1+	2.85 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.09 EUR
3000+	0.95 EUR

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
directShipCharge: 25

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0000786461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS443DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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