SIS443DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.38 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.43 EUR |
| 3000+ | 1.25 EUR |
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Technische Details SIS443DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0117 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm.
Weitere Produktangebote SIS443DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.67 EUR bis 6.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIS443DN-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0117 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm |
auf Bestellung 23496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4370, Qg, нКл = 135, Rds = 11,7 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK® 1212-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 13 Stücke: |
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| SIS443DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0117 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 23496 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.82 EUR |
| 58+ | 4.01 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| 5000+ | 1.67 EUR |
| SIS443DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
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Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 13 Stücke: