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SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis447dn.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.55 EUR
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Technische Details SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SIS447DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis447dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 11274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.78 EUR
188+0.74 EUR
201+0.67 EUR
243+0.53 EUR
250+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis447dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 11274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
184+0.79 EUR
186+0.75 EUR
188+0.72 EUR
201+0.64 EUR
243+0.51 EUR
250+0.49 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 184
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SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sis447dn.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.2 EUR
10+0.95 EUR
100+0.77 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sis447dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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13+1.44 EUR
14+1.26 EUR
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500+0.73 EUR
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SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis447dn.pdf Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis447dn.pdf Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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