Produkte > VISHAY > SIS454DN-T1-GE3
SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3 Vishay

sis454dn.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIS454DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 3.8W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

Weitere Produktangebote SIS454DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.84 EUR bis 4.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIS454DN-T1-GE3 SIS454DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis454dn.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 18326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.55 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.9 EUR
6000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS454DN-T1-GE3 SIS454DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis454dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS454DN-T1-GE3 SIS454DN-T1-GE3 VISHAY sis454dn.pdf Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
95+2.46 EUR
143+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS454DN-T1-GE3 sis454dn.pdf
SIS454DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 18326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.32 EUR
10+1.55 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.9 EUR
6000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS454DN-T1-GE3 sis454dn.pdf
SIS454DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS454DN-T1-GE3 sis454dn.pdf
SIS454DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.15 EUR
95+2.46 EUR
143+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH