Produkte > VISHAY SILICONIX > SIS4604DN-T1-GE3
SIS4604DN-T1-GE3

SIS4604DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis4604dn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.81 EUR
12+1.76 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 8 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIS4604DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 33.7W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

Weitere Produktangebote SIS4604DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIS4604DN-T1-GE3 SIS4604DN-T1-GE3 Vishay sis4604dn.pdf MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 14.6A
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+1.75 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS4604DN-T1-GE3 SIS4604DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023658799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 7046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS4604DN-T1-GE3 SIS4604DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023658799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 7046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS4604DN-T1-GE3 sis4604dn.pdf
SIS4604DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 14.6A
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.17 EUR
10+1.75 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS4604DN-T1-GE3 VISH-S-A0023658799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS4604DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 7046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.72 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS4604DN-T1-GE3 VISH-S-A0023658799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS4604DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 7046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.72 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH