SIS4608DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.5 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIS4608DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SIS4608DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.71 EUR bis 1.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIS4608DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V |
auf Bestellung 5855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SIS4608DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SIS4608DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SIS4608DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
SIS4608DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
SIS4608DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |