SIS4608LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
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Technische Details SIS4608LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIS4608LDN-T1-GE3 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V |
auf Bestellung 5985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A |
auf Bestellung 2195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS4608LDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS4608LDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIS4608LDN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
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| 13+ | 1.74 EUR |
| 14+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| SIS4608LDN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.14 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 3000+ | 0.65 EUR |
| 6000+ | 0.61 EUR |
| SIS4608LDN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 2.75 EUR |
| 129+ | 1.8 EUR |
| 194+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 5000+ | 0.64 EUR |
| SIS4608LDN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| 1000+ | 0.73 EUR |
| 5000+ | 0.64 EUR |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIS4608LDN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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