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SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors


sis488dn.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS434DN-GE3
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Technische Details SIS488DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: To Be Advised.

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SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis488dn.pdf Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
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SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis488dn.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
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SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sis488dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
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SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sis488dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
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