
SIS488DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 5989 Stücke:
Lieferzeit 555-559 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.51 EUR |
10+ | 1.25 EUR |
100+ | 0.97 EUR |
500+ | 0.82 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
9000+ | 0.66 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIS488DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIS488DN-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIS488DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 11262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
SIS488DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
SIS488DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
SIS488DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
SIS488DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
![]() |
SIS488DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
SIS488DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |