SIS590DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SIS590DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIS590DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.60 EUR bis 1.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SIS590DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs PWRPK 100V 4A N/P CH FET |
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SIS590DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIS590DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS590DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S) |
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