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SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3 Vishay

sis862dn.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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Technische Details SIS862DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay sis862dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
auf Bestellung 5886 Stücke:
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168+1.05 EUR
170+1.02 EUR
197+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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auf Bestellung 1903 Stücke:
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131+1.34 EUR
168+1.01 EUR
170+0.96 EUR
197+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000784840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 8063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
127+1.69 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
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SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis862dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.95 EUR
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SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
auf Bestellung 5886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.13 EUR
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SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000784840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 8063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
86+2.71 EUR
127+1.69 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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SIS862DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS862DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
auf Bestellung 5886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS862DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1903 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
168+1.05 EUR
170+1.02 EUR
197+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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SIS862DN-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.34 EUR
168+1.01 EUR
170+0.96 EUR
197+0.8 EUR
250+0.76 EUR
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1000+0.6 EUR
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SIS862DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 8063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.71 EUR
127+1.69 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIS862DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 5847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIS862DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
auf Bestellung 5886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.36 EUR
10+2.13 EUR
100+1.43 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS862DN-T1-GE3 VISH-S-A0000784840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS862DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 8063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.65 EUR
86+2.71 EUR
127+1.69 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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