SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.86 EUR |
| 6000+ | 0.8 EUR |
| 9000+ | 0.78 EUR |
| 15000+ | 0.76 EUR |
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Technische Details SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm.
Weitere Produktangebote SIS890DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SIS890DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V |
auf Bestellung 30575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS890DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 34242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS890DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm |
auf Bestellung 10142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SIS890DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 12202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIS890DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.12 EUR |
| 10+ | 1.99 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.97 EUR |
| SIS890DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.15 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 3000+ | 0.92 EUR |
| SIS890DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 10142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIS890DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 12202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)