SISA12BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
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Technische Details SISA12BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.
Weitere Produktangebote SISA12BDN-T1-GE3 nach Preis ab 0.75 EUR bis 2.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SISA12BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 6024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISA12BDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A |
auf Bestellung 11411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISA12BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm |
auf Bestellung 5640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SISA12BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm |
auf Bestellung 5640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISA12BDN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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|---|---|
| 12+ | 1.87 EUR |
| 13+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| SISA12BDN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.83 EUR |
| 10+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 6000+ | 0.75 EUR |
| SISA12BDN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 5640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SISA12BDN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
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