SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.57 EUR |
| 6000+ | 0.53 EUR |
| 9000+ | 0.52 EUR |
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Technische Details SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISA24DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.90 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SISA24DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V |
auf Bestellung 10866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISA24DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ. |
auf Bestellung 10990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISA24DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 33151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISA24DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 33151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISA24DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SISA24DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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