SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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| 11+ | 1.60 EUR |
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| 500+ | 0.86 EUR |
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Technische Details SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISA26DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SISA26DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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SISA26DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SISA26DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SISA26DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S |
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