SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |
| 9000+ | 0.25 EUR |
| 15000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 6700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 19.8W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm.
Weitere Produktangebote SISA88DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SISA88DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 33639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISA88DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 208644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISA88DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 6700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 19.8W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm |
auf Bestellung 3321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISA88DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 1 EUR |
| 24+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| SISA88DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 208644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.48 EUR |
| 10+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 3000+ | 0.36 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
| SISA88DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 6700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 19.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 6700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 19.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
auf Bestellung 3321 Stücke:
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