SISD4604LDN-T1-UE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Verlustleistung: 57W
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.57 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 5000+ | 1.08 EUR |
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Technische Details SISD4604LDN-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Weitere Produktangebote SISD4604LDN-T1-UE3 nach Preis ab 1.08 EUR bis 4.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SISD4604LDN-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 52A |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISD4604LDN-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISD4604LDN-T1-UE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 52A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 52A
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 3.92 EUR |
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| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| 3000+ | 1.09 EUR |
| SISD4604LDN-T1-UE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 58+ | 4.34 EUR |
| 91+ | 2.57 EUR |
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| 500+ | 1.39 EUR |
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| 5000+ | 1.08 EUR |