SISD4604LDN-T1-UE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.29 EUR |
| 10+ | 2.11 EUR |
| 100+ | 1.41 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 3000+ | 0.92 EUR |
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Technische Details SISD4604LDN-T1-UE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISD4604LDN-T1-UE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SISD4604LDN-T1-UE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SISD4604LDN-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISD4604LDN-T1-UE3 |
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Hersteller: VISHAY
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SISD4604LDN-T1-UE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)