SISD5300DN-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.02 EUR |
| 109+ | 1.96 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 5000+ | 1.14 EUR |
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Technische Details SISD5300DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SISD5300DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.14 EUR bis 4.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SISD5300DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 62A |
auf Bestellung 4383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISD5300DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISD5300DN-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 62A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 62A
auf Bestellung 4383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.63 EUR |
| 10+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.03 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| 3000+ | 1.4 EUR |
| SISD5300DN-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 53+ | 4.8 EUR |
| 77+ | 3.02 EUR |
| 109+ | 1.96 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 5000+ | 1.14 EUR |

