SISD5300DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8F, 0.87 mohm a. 10V, 1.3 mohm a. 4.5V
MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8F, 0.87 mohm a. 10V, 1.3 mohm a. 4.5V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 250+ | 1.6 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| 3000+ | 1.15 EUR |
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Technische Details SISD5300DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SISD5300DN-T1-GE3
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SISD5300DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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SISD5300DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |