SISD5806DN-T1-UE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.03 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 5000+ | 1.31 EUR |
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Technische Details SISD5806DN-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISD5806DN-T1-UE3 nach Preis ab 1.31 EUR bis 5.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SISD5806DN-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISD5806DN-T1-UE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| 50+ | 5.09 EUR |
| 77+ | 3.03 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 5000+ | 1.31 EUR |