SISF04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SISF04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SISF04DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.06 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SISF04DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F |
auf Bestellung 5040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISF04DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 11206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISF04DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SISF04DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISF04DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.42 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 3000+ | 1.06 EUR |
| SISF04DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.77 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| SISF04DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SISF04DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)