SISF04DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SISF04DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.003ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.003ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SISF04DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.34 EUR bis 2.36 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SISF04DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.003ohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.003ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SISF04DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.003ohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.003ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SISF04DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8 |
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SISF04DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8 |
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