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SISF54DN-T1-GE3

SISF54DN-T1-GE3 Vishay

Hersteller: Vishay
MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO
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Technische Details SISF54DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0031 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0031ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SISF54DN-T1-GE3 SISF54DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 4419953.pdf Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0031 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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