SISF54DN-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.86 EUR |
| 120+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 5000+ | 1.3 EUR |
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Technische Details SISF54DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 3100 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SISF54DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.01 EUR bis 4.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SISF54DN-T1-GE3 | Vishay |
MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO |
auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISF54DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 3100 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISF54DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO
MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.96 EUR |
| 10+ | 2.49 EUR |
| 100+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 3000+ | 1.01 EUR |
| SISF54DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 3100 µohm
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 3100 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
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auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 52+ | 4.88 EUR |
| 82+ | 2.86 EUR |
| 120+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 5000+ | 1.3 EUR |