Produkte > VISHAY SILICONIX > SISH103DN-T1-GE3
SISH103DN-T1-GE3

SISH103DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sish103dn.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SISH103DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SISH103DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.50 EUR bis 1.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SISH103DN-T1-GE3 SISH103DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sish103dn.pdf MOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8SH, 8.9 mohm a. 10V, 15 mohm a. 4.5V
auf Bestellung 11053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.70 EUR
10+1.14 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH103DN-T1-GE3 SISH103DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sish103dn.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
auf Bestellung 11324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+1.99 EUR
14+1.35 EUR
100+0.89 EUR
500+0.70 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH103DN-T1-GE3 SISH103DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3920437.pdf Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH103DN-T1-GE3 SISH103DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3920437.pdf Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH