SISS05DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.76 EUR |
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| 9000+ | 0.7 EUR |
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Technische Details SISS05DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 108, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SISS05DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.82 EUR bis 2.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -20...16V Pulsed drain current: -300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -86.6A On-state resistance: 5.8mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2577 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -20...16V Pulsed drain current: -300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -86.6A On-state resistance: 5.8mΩ |
auf Bestellung 2577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs POWRPK P CHAN 30V |
auf Bestellung 42147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 11039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 16655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
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SISS05DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
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