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Technische Details SISS10ADN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISS10ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.50 EUR bis 2.39 EUR
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 7704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 44521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
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SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SISS10ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SISS10ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |