| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.89 EUR |
| 10+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| 3000+ | 0.74 EUR |
| 6000+ | 0.72 EUR |
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Technische Details SISS26LDN-T1-BE3 Vishay
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 81.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISS26LDN-T1-BE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SISS26LDN-T1-BE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 81.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SISS26LDN-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 81.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISS26LDN-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| SISS26LDN-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
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Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6035 Stücke:
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