Technische Details SISS26LDN-T1-UE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 36W, Gate charge: 48nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 65A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 6.2mΩ.
Weitere Produktangebote SISS26LDN-T1-UE3 nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SISS26LDN-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET |
auf Bestellung 5979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SISS26LDN-T1-UE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
auf Bestellung 5979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.28 EUR |
| 11+ | 2.08 EUR |
| 50+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |