SISS27ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
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Technische Details SISS27ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 57W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm.
Weitere Produktangebote SISS27ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.96 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SISS27ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 444-448 Tag (e) |
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SISS27ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm |
auf Bestellung 7537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS27ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS27ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm |
auf Bestellung 7537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS27ADN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISS27ADN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 444-448 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.05 EUR |
| 10+ | 1.77 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| SISS27ADN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 144+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| 5000+ | 1.07 EUR |
| SISS27ADN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
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Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.95 EUR |
| 12+ | 1.86 EUR |
| 50+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| SISS27ADN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 7537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.15 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 144+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| 5000+ | 1.07 EUR |
| SISS27ADN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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