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Technische Details SISS30ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 43.5A, On-state resistance: 10.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 36W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate charge: 30nC, Mounting: SMD, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 120A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SISS30ADN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SISS30ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A Drain-source voltage: 80V Drain current: 43.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 30nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SISS30ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
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SISS30ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
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| SISS30ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A Drain-source voltage: 80V Drain current: 43.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 30nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A |
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