| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.38 EUR |
| 10+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| 3000+ | 1.37 EUR |
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Technische Details SISS32ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 42W, Gate charge: 36nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 50.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 8.7mΩ.
Weitere Produktangebote SISS32ADN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS32ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS32ADN-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
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