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SISS32LDN-T1-GE3

SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss32ldn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 40 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.09 EUR
6000+1.02 EUR
9000+0.99 EUR
15000+0.96 EUR
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Technische Details SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SISS32LDN-T1-GE3 nach Preis ab 0.77 EUR bis 3.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024456861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 36429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
107+2.17 EUR
156+1.38 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024456861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 36429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
107+2.17 EUR
156+1.38 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Semiconductors siss32ldn.pdf MOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 10751 Stücke:
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1+3.94 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.37 EUR
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SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss32ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
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Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 40 V
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SISS32LDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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156+1.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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SISS32LDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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MOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK 1212-8S
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1+3.94 EUR
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SISS32LDN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 40 V
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6+3.94 EUR
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