SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2058 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS42LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0122 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISS42LDN-T1-GE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 2.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SISS42LDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs Nch 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
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SISS42LDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2058 pF @ 50 V |
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SISS42LDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS42LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0122 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SISS42LDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31.2A; Idm: 80A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 31.2A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SISS42LDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31.2A; Idm: 80A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 31.2A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A |
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