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SISS5108DN-T1-GE3

SISS5108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss5108dn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+1.44 EUR
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Technische Details SISS5108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SISS5108DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.33 EUR bis 5.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SISS5108DN-T1-GE3 SISS5108DN-T1-GE3 VISHAY siss5108dn.pdf Description: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SISS5108DN-T1-GE3 SISS5108DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix siss5108dn.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 12297 Stücke:
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1+4.88 EUR
10+3.17 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
3000+1.49 EUR
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SISS5108DN-T1-GE3 SISS5108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5108dn.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
auf Bestellung 8550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SISS5108DN-T1-GE3 SISS5108DN-T1-GE3 VISHAY siss5108dn.pdf Description: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6005 Stücke:
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46+5.5 EUR
69+3.37 EUR
100+2.36 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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SISS5108DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
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SISS5108DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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5+4.99 EUR
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Description: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.5 EUR
69+3.37 EUR
100+2.36 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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