SISS5208DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.89 EUR |
| 3000+ | 1.71 EUR |
| 6000+ | 1.09 EUR |
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Technische Details SISS5208DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 172A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SISS5208DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SISS5208DN-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 172A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SISS5208DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 172A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISS5208DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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| SISS5208DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)