| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.88 EUR |
| 10+ | 3.14 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| 1000+ | 1.76 EUR |
| 3000+ | 1.54 EUR |
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Technische Details SISS54DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS54DN-T1-GE3 | Vishay |
SISS54DN |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS54DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
SISS54DN
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