SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 1.82 EUR |
| 6000+ | 1.76 EUR |
| 9000+ | 1.7 EUR |
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Technische Details SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SISS5623DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.84 EUR bis 4.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SISS5623DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc) |
auf Bestellung 11574 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SISS5623DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V |
auf Bestellung 5942 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SISS5623DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS5623DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS5623DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 36.3A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SISS5623DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 36.3A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |