SISS5708DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 3.12 EUR |
| 10+ | 2.79 EUR |
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Technische Details SISS5708DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SISS5708DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.26 EUR bis 3.68 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SISS5708DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs PWRPK 150V 33.8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 15880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS5708DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS5708DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS5708DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW |
Produkt ist nicht verfügbar |