SISS5708DN-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.95 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 5000+ | 1.29 EUR |
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Technische Details SISS5708DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SISS5708DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.29 EUR bis 5.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SISS5708DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS5708DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs PWRPK 150V 33.8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 15159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS5708DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS5708DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.71 EUR |
| 10+ | 3.32 EUR |
| SISS5708DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs PWRPK 150V 33.8A N-CH MOSFET
MOSFETs PWRPK 150V 33.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 15159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.88 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.73 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| 3000+ | 1.51 EUR |
| SISS5708DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 5.15 EUR |
| 79+ | 2.95 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 5000+ | 1.29 EUR |