SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.73 EUR |
| 6000+ | 0.68 EUR |
| 9000+ | 0.66 EUR |
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Technische Details SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SISS61DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SISS61DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs Pch 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 21043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 13472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 27315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SISS61DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISS61DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs Pch 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
MOSFETs Pch 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 21043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 0.97 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 3000+ | 0.64 EUR |
| 6000+ | 0.63 EUR |
| SISS61DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.73 EUR |
| 11+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.91 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| SISS61DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
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Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 27315 Stücke:
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| SISS61DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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