SISS61DN-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 53+ | 1.37 EUR |
| 77+ | 0.93 EUR |
| 111+ | 0.65 EUR |
| 250+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
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Technische Details SISS61DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISS61DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SISS61DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® 1212-8 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -200A Drain current: -89.6A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 231nC On-state resistance: 9.8mΩ Gate-source voltage: ±8V Power dissipation: 42.1W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5708 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs Pch 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 21043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V |
auf Bestellung 2138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 36065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 36065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 30.9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SISS61DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 30.9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SISS61DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V |
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