SISS61DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.56 EUR |
| 10+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 3000+ | 0.76 EUR |
| 6000+ | 0.75 EUR |
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Technische Details SISS61DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 65.8W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.
Weitere Produktangebote SISS61DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.42 EUR bis 4.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SISS61DN-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 65.8W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
auf Bestellung 5790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 65.8W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
auf Bestellung 5790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS61DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 42.1W Gate charge: 231nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -89.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD |
auf Bestellung 3838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS61DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.06 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1500+ | 1.42 EUR |
| SISS61DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.36 EUR |
| 10+ | 2.12 EUR |
| 50+ | 1.59 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| SISS61DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.8 EUR |
| 76+ | 3.06 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1500+ | 1.42 EUR |
| SISS61DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 42.1W
Gate charge: 231nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -89.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 42.1W
Gate charge: 231nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -89.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 3838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)