SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3327 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS66DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISS66DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.96 EUR bis 3.36 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SISS66DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 30V |
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SISS66DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3327 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS66DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS66DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 178.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SISS66DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SISS66DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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