SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.89 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.1 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISS73DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.06 EUR bis 3.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS73DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 92513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
SISS73DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V |
auf Bestellung 6012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SISS73DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.1 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
SISS73DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.1 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SISS73DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
SISS73DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| SISS73DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: ThunderFET; TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -12.9A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 42.1W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
| SISS73DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: ThunderFET; TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -12.9A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 42.1W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |