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SISS76LDN-T1-GE3

SISS76LDN-T1-GE3 Vishay

siss76ldn.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
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Technische Details SISS76LDN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : Vishay siss76ldn.pdf Trans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
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SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix siss76ldn.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 70V
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SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siss76ldn.pdf Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3164659.pdf Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix siss76ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
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Mindestbestellmenge: 3000
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SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix siss76ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
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SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : Vishay siss76ldn.pdf Trans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siss76ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS76LDN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siss76ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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