Produkte > VISHAY SILICONIX > SISS80DN-T1-GE3
SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss80dn.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote SISS80DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.07 EUR bis 3.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors siss80dn.pdf MOSFETs N-Channel 20V (D-S)
auf Bestellung 3126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.75 EUR
10+1.76 EUR
100+1.64 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix siss80dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
auf Bestellung 11674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.26 EUR
10+2.17 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay siss80dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siss80dn.pdf SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay siss80dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay siss80dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH