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SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix

siz240dt.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3
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Technische Details SIZ240DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SIZ240DT-T1-GE3 SIZ240DT-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siz240dt.pdf Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIZ240DT-T1-GE3 Hersteller : Vishay siz240dt.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
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