SIZ240DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIZ240DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIZ240DT-T1-GE3 nach Preis ab 4.39 EUR bis 4.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
SIZ240DT-T1-GE3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs |
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SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 48A (Tc), 16.9A (Ta), 47A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 20V, 1070pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 10A, 10V, 8.41mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
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SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 48A (Tc), 16.9A (Ta), 47A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 20V, 1070pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 10A, 10V, 8.41mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIZ240DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 48A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 48A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 33W Case: PowerPAIR® 3x3 On-state resistance: 13.3/12.25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22/23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |