SIZ250DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
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Technische Details SIZ250DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SIZ250DT-T1-GE3 nach Preis ab 1 EUR bis 4.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIZ250DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 14464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIZ250DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S |
auf Bestellung 24690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIZ250DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V |
auf Bestellung 11663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIZ250DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIZ250DT-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.22 EUR |
| 111+ | 2.09 EUR |
| 142+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1500+ | 1.04 EUR |
| SIZ250DT-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S
auf Bestellung 24690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.37 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 3000+ | 1 EUR |
| SIZ250DT-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.37 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| SIZ250DT-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 4.38 EUR |
| 83+ | 2.81 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1500+ | 1.26 EUR |