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Technische Details SIZ340DT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIZ340DT-T1-GE3 nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R |
auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
auf Bestellung 17651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
auf Bestellung 6695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 100...150A Power dissipation: 16.7/31W Case: PowerPAIR® 3x3 On-state resistance: 13.7/7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19/35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIZ340DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 100...150A Power dissipation: 16.7/31W Case: PowerPAIR® 3x3 On-state resistance: 13.7/7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19/35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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