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SIZ342ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIZ342ADT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12178586-3
Price: 1500.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

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Technische Details SIZ342ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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SIZ342ADT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET Dual N-Channel 30V

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SIZ342ADT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

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SIZ342ADT-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

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SIZ342ADT-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
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