SIZ342ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SIZ342ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIZ342ADT-T1-GE3 nach Preis ab 0.50 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIZ342ADT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET Dual N-Channel 30V |
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SIZ342ADT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
auf Bestellung 6313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIZ342ADT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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| SIZ342ADT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
N Channel MOSFET |
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| SIZ342ADT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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