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SIZ980BDT-T1-GE3

Name: SIZ980BDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12309742-3
Price: 2820.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 173623

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Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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SIZ980BDT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIZ980BDT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 13593 Stücke:

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SIZ980BDT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

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SIZ980BDT-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4715 Stücke:

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SIZ980BDT-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4715 Stücke:

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100+	4.59 EUR
111+	2.09 EUR
124+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIZ980BDT-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
3000+	1.12 EUR

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SIZ980BDT-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

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Anzahl	Privatkunde
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10+	2.25 EUR
100+	1.59 EUR
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SIZ980BDT-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 13649 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
1+	4.55 EUR
10+	2.23 EUR
100+	2 EUR
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1000+	1.57 EUR

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SIZ980BDT-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4715 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
55+	4.59 EUR
111+	2.09 EUR
124+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

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SIZ980BDT-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4715 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
100+	4.59 EUR
111+	2.09 EUR
124+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.34 EUR

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