SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SIZF4412DT-T1-GE3 nach Preis ab 0.97 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SIZF4412DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Anzahl der Pins: 12Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIZF4412DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 2643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIZF4412DT-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
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Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIZF4412DT-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.54 EUR |
| 10+ | 2.25 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 3000+ | 1.03 EUR |
| 6000+ | 0.97 EUR |

