SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIZF4412DT-T1-GE3 nach Preis ab 0.97 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIZF4412DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| SIZF4412DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|