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SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY


VISH-S-A0024282083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SIZF4412DT-T1-GE3 nach Preis ab 0.97 EUR bis 3.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SIZF4412DT-T1-GE3 SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024282083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIZF4412DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.54 EUR
10+2.25 EUR
100+1.56 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.11 EUR
3000+1.03 EUR
6000+0.97 EUR
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SIZF4412DT-T1-GE3 VISH-S-A0024282083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIZF4412DT-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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AnzahlPreis
1+3.54 EUR
10+2.25 EUR
100+1.56 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.11 EUR
3000+1.03 EUR
6000+0.97 EUR
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