Produkte > VISHAY SILICONIX > SIZF4800LDT-T1-GE3
SIZF4800LDT-T1-GE3

SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sizf4800ldt.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.27 EUR
6000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SIZF4800LDT-T1-GE3 nach Preis ab 1.11 EUR bis 4.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 VISHAY sizf4800ldt.pdf Description: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
113+1.92 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay / Siliconix sizf4800ldt.pdf MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 80V 10A
auf Bestellung 8866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf4800ldt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
auf Bestellung 7268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 VISHAY sizf4800ldt.pdf Description: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.62 EUR
80+2.9 EUR
113+1.92 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF4800LDT-T1-GE3 sizf4800ldt.pdf
SIZF4800LDT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.9 EUR
113+1.92 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF4800LDT-T1-GE3 sizf4800ldt.pdf
SIZF4800LDT-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 80V 10A
auf Bestellung 8866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.21 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF4800LDT-T1-GE3 sizf4800ldt.pdf
SIZF4800LDT-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
auf Bestellung 7268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF4800LDT-T1-GE3 sizf4800ldt.pdf
SIZF4800LDT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.62 EUR
80+2.9 EUR
113+1.92 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH