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SIZF5300DT-T1-GE3 VISHAY

Name: SIZF5300DT-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 26837492-6
Price: 214.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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Technische Details SIZF5300DT-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIZF5300DT-T1-GE3 nach Preis ab 1.74 EUR bis 5.78 EUR

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SIZF5300DT-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SIZF5300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

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10+	3.71 EUR
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SIZF5300DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 35A

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SIZF5300DT-T1-GE3

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SIZF5300DT-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

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SIZF5300DT-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 35A

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