SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote SIZF5302DT-T1-RE3 nach Preis ab 1.32 EUR bis 2.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIZF5302DT-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIRPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active |
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SIZF5302DT-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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SIZF5302DT-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W |
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SIZF5302DT-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active |
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